半導體器件密封試驗

GB/T 4937.1-2006 半導體器件機械和氣候試驗方法 第1部分：總則
GB/T 4937.8 半導體器件機械和氣候試驗方法 第8部分：密封
IEC 60749- 8：2002 半導體器件機械和氣候試驗方法第8部分：密封
GB/T 2423. 23-2013環境試驗第2部分： 試驗方法試驗Q：密封

為了防止半導體設備、集成電路等部件表面因污染水蒸氣等雜質而導致性能退化，必須用管殼密封。然而，由于各種原因，管殼的接頭或引線接頭往往會產生一些肉眼難以找到的小孔。因此，組件包裝后，需要采取一些方法來檢測這些小孔的存在。
半導體器件密封試驗目的正是檢測半導體器件的漏率。 健明迪檢測環境可靠性實驗中心擁有各種半導體器件機械和氣候試驗設備，具備密封試驗能力，為半導體器件、設備提供專業的密封試驗服務。

半導體器件密封試驗目的正是檢測半導體器件的漏率。 健明迪檢測環境可靠性實驗中心擁有各種半導體器件機械和氣候試驗設備，具備密封試驗能力，為半導體器件、設備提供專業的密封試驗服務。

1、細檢漏：放射性氪方法
在具有適當的放射性示蹤氣體的箱內加壓之后，測量器件內部所呈現的放射性強度，從而確定半導體器件的漏泄率，適用于玻璃、金屬或陶瓷（或它們的組合體）氣密封裝的器件。
2、細檢漏：使用質譜儀的示蹤氣體（氦）方法
適用于所有空腔型封裝，除示蹤氣體壓力是單一的，封裝的機械強度隨尺寸、壁厚面積比、材料和結構等而變化。
3、粗檢漏：使用電子檢測儀的全氟化碳氣體法
通過對浸在液體中的半導體器件加壓而測量逸出器件的全氟化碳的量的多少來確定半導體器件的漏率，適用于玻璃、金屬或陶瓷（或他們的組合）氣密封裝的器件。
4、其他方法：
粗檢漏：全氟化碳氣泡檢測法
增重粗檢漏法
染料滲透粗檢漏法
粗檢漏重檢